| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|弛豫时间对BTO/LAO超晶格介电异常的影响

弛豫时间对BTO/LAO超晶格介电异常的影响

卢苇 肖定全 于光龙 朱建国

电子元件与材料2005,Vol.24Issue(4):5-8,4.
电子元件与材料2005,Vol.24Issue(4):5-8,4.

弛豫时间对BTO/LAO超晶格介电异常的影响

Dependence of Relaxor Time on the Anomalous Dielectric Property of BTO/LAO Superlattice

卢苇 1肖定全 1于光龙 1朱建国1

作者信息

  • 1. 四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064
  • 折叠

摘要

关键词

无机非金属材料/BTO/LAO超晶格/Debye弛豫/Maxwell-Wagner效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

卢苇,肖定全,于光龙,朱建国..弛豫时间对BTO/LAO超晶格介电异常的影响[J].电子元件与材料,2005,24(4):5-8,4.

基金项目

国家重大基础研究项目(51310Z06-1) (51310Z06-1)

电子元件与材料

OA北大核心CSCD

1001-2028

访问量2
|
下载量0
段落导航相关论文