|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

何建廷 曹文田 李田泽 庄惠照

电子元件与材料2008，Vol.27Issue(12)：60-62,3.
✕
电子元件与材料2008，Vol.27Issue(12)：60-62,3.

PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

Characteristics of zinc oxide thin films on Al2O3 substratesgrown by pulsed laser deposition method

何建廷 1曹文田 2李田泽 1庄惠照2

作者信息

  • 1. 山东理工大学,电气与电子工程学院,现代光电技术研究所,山东,淄博,255049
  • 2. 山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014
  • 折叠

摘要

关键词

无机非金属材料/PLD/ZnO/薄膜/Al2O3

分类

化学化工

引用本文复制引用

何建廷,曹文田,李田泽,庄惠照..PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性[J].电子元件与材料,2008,27(12):60-62,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No.90301002) （No.90301002）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文