|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响

退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响

张云峰 王华 任明放

电子元件与材料2008，Vol.27Issue(6)：65-68,4.
✕
电子元件与材料2008，Vol.27Issue(6)：65-68,4.

退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响

Effect of annealing processing on the microstructure of La-Nb co-doping Bi4Ti3O12 thin films

张云峰 1王华 2任明放2

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学,信息与通信学院,广西,桂林,541004
  • 2. 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004
  • 折叠

摘要

关键词

无机非金属材料/铁电薄膜/BLTN/微观结构/退火温度/升温速率/退火时间

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张云峰,王华,任明放..退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响[J].电子元件与材料,2008,27(6):65-68,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No. 50262001) （No. 50262001）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文