电子元件与材料2009，Vol.28Issue(2)：66-69,4.
MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜
Lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVD
摘要
关键词
无机非金属材料/MOCVD/综述/横向外延过生长/GaN/薄膜分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
彭冬生,冯玉春,牛憨笨..MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜[J].电子元件与材料,2009,28(2):66-69,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(No.60806017) （No.60806017）
深圳大学科研启动基金资助项目(No.200840) （No.200840）
