256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像OA北大核心CSCDCSTPCD
256 ELEMENT InGaAs LINEAR IR FOCAL PLANE ARRAY AND SCANNING IMAGE
报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照…查看全部>>
吕衍秋;韩冰;白云;徐萌;唐恒敬;孔令才;李雪;张永刚;龚海梅
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
信息技术与安全科学
探测器焦平面InGaAs钝化扫描成像
《红外与毫米波学报》 2008 (1)
7-11,5
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
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