电子与封装2008，Vol.8Issue(12)：7-9,3.
重掺砷衬底外延工艺研究
The Investigation of the Process of Growing Epitaxial Layer on Heavy Arsenic Doping Substrate
高翔 1程秀兰 1李志彭2
作者信息
- 1. 上海交通大学微电子学院,上海,200030
- 2. 上海新进半导体制造有限公司,上海,200233
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摘要
关键词
外延/固态外扩散/自掺杂/多晶硅背封/二步外延分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高翔,程秀兰,李志彭..重掺砷衬底外延工艺研究[J].电子与封装,2008,8(12):7-9,3.
