电子元件与材料2003，Vol.22Issue(9)：9-10,14,3.
一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究
Study on the Properties of the SiC-based Grain Boundary Capacitors Making by Single-firing Method
王海龙 1张锐 1付元忠 1王西科1
作者信息
- 1. 郑州大学北校区材料工程学院,河南,郑州,450002
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摘要
关键词
碳化硅/边界层电容器/介电常数/一次烧成分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王海龙,张锐,付元忠,王西科..一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究[J].电子元件与材料,2003,22(9):9-10,14,3.
