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双极器件EB结击穿测试对HFE的影响

戴昌梅 郑若成

电子与封装2010,Vol.10Issue(1):28-31,4.
电子与封装2010,Vol.10Issue(1):28-31,4.

双极器件EB结击穿测试对HFE的影响

The Impaction of Bipolar Device EB Breakdown Test to HFE

戴昌梅 1郑若成1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,无锡,214035
  • 折叠

摘要

关键词

电流应力/缺陷/HFE/复合电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

戴昌梅,郑若成..双极器件EB结击穿测试对HFE的影响[J].电子与封装,2010,10(1):28-31,4.

电子与封装

1681-1070

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