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Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能

赵德友 徐光亮 刘桂香 彭龙

电子元件与材料2010,Vol.29Issue(6):14-17,4.
电子元件与材料2010,Vol.29Issue(6):14-17,4.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2010.06.005

Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能

Structure and properties of Al-N co-doped ZnO:Mn diluted magnetic semiconductor thin films

赵德友 1徐光亮 1刘桂香 1彭龙1

作者信息

  • 1. 西南科技大学,材料科学与工程学院新材料研究所,四川,绵阳,621010
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摘要

关键词

ZnO/稀磁半导体/磁控溅射/Al-N共掺杂

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵德友,徐光亮,刘桂香,彭龙..Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能[J].电子元件与材料,2010,29(6):14-17,4.

基金项目

四川省教育厅重点资助项目(No.08ZA009):西南科技大学博士基金资助项目(No.08ZX0102) (No.08ZA009)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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