电子与封装2010，Vol.10Issue(8)：37-40,4.
0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究
Etching of 0.8μm Polycrystalline Gate with Enhanced Plasma
王春栋 1李幸和 1顾爱军 1赵金茹 1刘国柱1
作者信息
- 1. 无锡中微晶园电子有限公司,江苏,无锡,214035
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摘要
关键词
多晶刻蚀/倾斜角度/最优化条件/等离子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王春栋,李幸和,顾爱军,赵金茹,刘国柱..0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究[J].电子与封装,2010,10(8):37-40,4.
