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EEPROM单元抗辐射版图设计技术

赵力 田海燕 周昕杰

电子与封装2010,Vol.10Issue(5):22-24,29,4.
电子与封装2010,Vol.10Issue(5):22-24,29,4.

EEPROM单元抗辐射版图设计技术

The Radiation Hardened Layout Design for EEPROM Cell

赵力 1田海燕 1周昕杰1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035
  • 折叠

摘要

关键词

EEPROM单元/抗辐射/版图加固

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵力,田海燕,周昕杰..EEPROM单元抗辐射版图设计技术[J].电子与封装,2010,10(5):22-24,29,4.

电子与封装

1681-1070

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