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0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化

秦永伟 赵金茹 王春栋 李俊

电子与封装2010,Vol.10Issue(9):38-40,48,4.
电子与封装2010,Vol.10Issue(9):38-40,48,4.

0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化

Study of the Etching Technology in 0.5 Micro-island with Orthogonal Optimization Method

秦永伟 1赵金茹 1王春栋 1李俊1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
  • 折叠

摘要

关键词

选择比/有源区腐蚀/正交优化实验法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

秦永伟,赵金茹,王春栋,李俊..0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化[J].电子与封装,2010,10(9):38-40,48,4.

电子与封装

1681-1070

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