电子元件与材料2010，Vol.29Issue(11)：55-57,3.
退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响
Influence of annealing temperature On properties of ZnS thin films prepared by electron-beam evaporation
摘要
关键词
ZnS薄膜/电子束蒸发/退火温度/光电性能分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赖松林,程树英,黄红梁,林珊..退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响[J].电子元件与材料,2010,29(11):55-57,3.基金项目
福建省科技厅重点资助项目(No.2008I0019) （No.2008I0019）
福建省自然科学基金资助项目(No.2009J01285) （No.2009J01285）
福建省教育厅资助项目(No.JB09010) （No.JB09010）
