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电子与封装
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三极管器件结构研究
三极管器件结构研究
郑若成
陈姜
电子与封装
2010,Vol.10
Issue(12):36-40,5.
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电子与封装
2010,Vol.10
Issue(12)
:36-40,5.
三极管器件结构研究
The Study for Bipolar Layout Structure
郑若成
1
陈姜
1
作者信息
1.
中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
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摘要
关键词
三极管
/
结构
/
电流能力
/
发射极面积(AE)
/
HFE
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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郑若成,陈姜..三极管器件结构研究[J].电子与封装,2010,10(12):36-40,5.
电子与封装
ISSN:
1681-1070
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