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三极管器件结构研究

郑若成 陈姜

电子与封装2010,Vol.10Issue(12):36-40,5.
电子与封装2010,Vol.10Issue(12):36-40,5.

三极管器件结构研究

The Study for Bipolar Layout Structure

郑若成 1陈姜1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
  • 折叠

摘要

关键词

三极管/结构/电流能力/发射极面积(AE)/HFE

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郑若成,陈姜..三极管器件结构研究[J].电子与封装,2010,10(12):36-40,5.

电子与封装

1681-1070

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