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成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

吕贤亮 钟朝位 张树人

电子元件与材料2010,Vol.29Issue(5):8-10,3.
电子元件与材料2010,Vol.29Issue(5):8-10,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.003

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

Influence of forming process on the properties of single layer microwave ceramic capacitors with high permittivity

吕贤亮 1钟朝位 1张树人1

作者信息

  • 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
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摘要

关键词

钛酸锶/高介单层微波电容器/轧膜工艺/流延工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕贤亮,钟朝位,张树人..成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响[J].电子元件与材料,2010,29(5):8-10,3.

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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