首页|期刊导航|电子元件与材料|In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究

In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究

尹丹周昌荣刘心宇成钧

电子元件与材料2010，Vol.29Issue(5)：5-7,3.

电子元件与材料2010，Vol.29Issue(5)：5-7,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.002

Study of In2O3 doped Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3 lead-free piezoelectric ceramics

尹丹 ¹周昌荣 ²刘心宇 ¹成钧²

作者信息

无铅压电陶瓷/BNT/In2O3掺杂/介电性能/钙钛矿结构

信息技术与安全科学

尹丹,周昌荣,刘心宇,成钧..In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究[J].电子元件与材料,2010,29(5):5-7,3.

广西信息材料重点实验室主任基金资助项目(No.0710908-02-Z) （No.0710908-02-Z）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2028

访问量0

下载量0

段落导航