电子与封装2011，Vol.11Issue(4)：31-34,4.
基于O.18μm工艺CMOS超宽带低噪声放大器设计
Design of a 0.18 μ m CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier
徐国明1
作者信息
- 1. 苏州高等职业技术学校,江苏,苏州,215011
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摘要
关键词
CMOS/超宽带/低噪声放大器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐国明..基于O.18μm工艺CMOS超宽带低噪声放大器设计[J].电子与封装,2011,11(4):31-34,4.
