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硅外延双层结构的厚度测量

唐有青谭卫东马利行杨帆张文清

电子与封装2009，Vol.9Issue(9)：5-7,3.

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电子与封装2009，Vol.9Issue(9)：5-7,3.

硅外延双层结构的厚度测量

The Thickness Measure of the Double EPI Layers Wafer

唐有青 ¹谭卫东 ¹马利行 ¹杨帆 ¹张文清¹

作者信息

1. 南京国盛电子公司,南京,210038
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摘要

关键词

FTIR/硅外延片/中间层/电阻率/厚度

分类

信息技术与安全科学

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唐有青,谭卫东,马利行,杨帆,张文清..硅外延双层结构的厚度测量[J].电子与封装,2009,9(9):5-7,3.

电子与封装

ISSN：1681-1070

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