电子与封装Issue(7)：35-38,43,5.
700V nLDMOS击穿电压参数设计
The Design of Breakdown Voltage Parameters of 700V nLDMOS
文燕 1张枫 1李天贺 1李娜1
作者信息
- 1. 深圳方正微电子有限公司,广东深圳,518116
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摘要
关键词
nlDMOS/漂移区/场极板/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
文燕,张枫,李天贺,李娜..700V nLDMOS击穿电压参数设计[J].电子与封装,2011,(7):35-38,43,5.
