电子元件与材料2012，Vol.31Issue(10)：22-24,3.
退火温度对ZrO2高介电薄膜电学性能的影响
Effects of annealing temperature on the electrical properties of ZrO2 high permittivity films
郑丹 1丁驰竹2
作者信息
- 1. 武汉软件工程职业学院光电系,湖北武汉430205
- 2. 湖北大学物电学院,湖北武汉430062
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摘要
关键词
ZrO2薄膜/介电常数/漏电流分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郑丹,丁驰竹..退火温度对ZrO2高介电薄膜电学性能的影响[J].电子元件与材料,2012,31(10):22-24,3.
