电子元件与材料2012，Vol.31Issue(12)：46-48,3.
覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究
Study on the BST film covered junction terminal of power semiconductor devices
摘要
关键词
半导体功率器件/钛酸锶钡(BST)膜/结终端/场限环分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
葛微微,张国俊,钟志亲,王姝娅,戴丽萍..覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究[J].电子元件与材料,2012,31(12):46-48,3.基金项目
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(No.ZYGX2011J029) （No.ZYGX2011J029）
