电子元件与材料2013，Vol.32Issue(5)：23-25,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.007
硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
Study on the structural and optical properties of ZnS thin films prepared by sulfidation
摘要
关键词
半导体/ZnS薄膜/磁控溅射/硫化/六方/光透过率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张仁刚,卓雯,王登京,陈克亮,徐千山..硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究[J].电子元件与材料,2013,32(5):23-25,3.基金项目
湖北省教育厅科研计划重点资助项目(No.D20121109) （No.D20121109）
武汉科技大学绿色制造与节能减排科技研究中心开放基金资助项目(No.B1220) （No.B1220）
