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PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析

何建廷 杨淑连 魏芹芹 宿元斌

电子元件与材料2013,Vol.32Issue(8):29-31,34,4.
电子元件与材料2013,Vol.32Issue(8):29-31,34,4.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.008

PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析

XPS analysis of ZnO thin films obtained by pulsed laser deposition at various oxygen partial pressures

何建廷 1杨淑连 1魏芹芹 1宿元斌1

作者信息

  • 1. 山东理工大学电气与电子工程学院,山东淄博 255049
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摘要

关键词

XPS/ZnO/脉冲激光沉积/氧分压/化学计量比/峰面积/结合能

Key words

XPS/ZnO/pulsed laser deposition/oxygen partial pressure/stoichiometric ratio/peak area/binding energy

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何建廷,杨淑连,魏芹芹,宿元斌..PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析[J].电子元件与材料,2013,32(8):29-31,34,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No.90301002) (No.90301002)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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