电子元件与材料2013,Vol.32Issue(8):29-31,34,4.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.008
PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析
XPS analysis of ZnO thin films obtained by pulsed laser deposition at various oxygen partial pressures
摘要
关键词
XPS/ZnO/脉冲激光沉积/氧分压/化学计量比/峰面积/结合能Key words
XPS/ZnO/pulsed laser deposition/oxygen partial pressure/stoichiometric ratio/peak area/binding energy分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
何建廷,杨淑连,魏芹芹,宿元斌..PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析[J].电子元件与材料,2013,32(8):29-31,34,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(No.90301002) (No.90301002)