电子元件与材料2013，Vol.32Issue(9)：23-25,3.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2013.09.007
侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响
Effects of side high-impedance glaze coating on the electrical performance of ZnO varistor chips for lightening
摘要
关键词
高阻釉/ZnO压敏陶瓷/防雷芯片/电性能/压敏电压/暂态过电压Key words
high-impedance glaze/ ZnO varistor ceramics/ chips for lightening/ electrical performance/ varistor voltage/ transient overvoltage分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
庞驰,叶翠,费自豪,张雷..侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响[J].电子元件与材料,2013,32(9):23-25,3.基金项目
贵阳市科技型中小企业创新基金资助项目(No.筑科合同[2012201]43号) （No.筑科合同[2012201]43号）
贵阳市高新区中小企业创新基金资助项目(No.GXCX2012-0070) （No.GXCX2012-0070）
