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半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用

杨国锋 李果华 高淑梅

电子元件与材料2013，Vol.32Issue(11)：69-70,2.
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电子元件与材料2013，Vol.32Issue(11)：69-70,2.

半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用

杨国锋 1李果华 1高淑梅1

作者信息

  • 1. 江南大学理学院
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摘要

关键词

InGaN/GaN多量子阱/LED/多波长发光/半极性面

引用本文复制引用

杨国锋,李果华,高淑梅..半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用[J].电子元件与材料,2013,32(11):69-70,2.

基金项目

江苏省自然科学基金(BK2011436)资助课题 （BK2011436）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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