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沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响

兰椿 龙路 钟志有 杨春勇 侯金

电子元件与材料2014,Vol.33Issue(8):30-33,37,5.
电子元件与材料2014,Vol.33Issue(8):30-33,37,5.DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.007

沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响

Effects of deposition temperature on structure and properties of GZO transparent conductive thin films

兰椿 1龙路 1钟志有 1杨春勇 2侯金1

作者信息

  • 1. 中南民族大学电子信息工程学院,湖北武汉430074
  • 2. 中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,湖北武汉430074
  • 折叠

摘要

关键词

磁控溅射/GZO薄膜/沉积温度/光学性能/电学性能/品质因数

Key words

magnetron sputtering/ GZO thin film/ deposition temperature/ optical properties/ electrical properties/figure of merit

分类

数理科学

引用本文复制引用

兰椿,龙路,钟志有,杨春勇,侯金..沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响[J].电子元件与材料,2014,33(8):30-33,37,5.

基金项目

中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.CZW14019) (No.CZW14019)

中南民族大学学术团队基金资助项目(No.XTZ09003) (No.XTZ09003)

国家自然科学基金资助项目(No.61002013 ()

No.11147014) ()

湖北省自然科学基金资助项目(No.2013CFA052) (No.2013CFA052)

电子元件与材料

OACSCDCSTPCD

1001-2028

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