石墨烯-六方氮化硼面内异质结构的扫描隧道显微学研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Scanning tunneling microscopy study of in-plane graphene-hexagonal boron nitride heterostructures
石墨烯-六方氮化硼面内异质结构因可调控石墨烯的能带结构而受到广泛关注。本文介绍了在超高真空体系内，利用两步生长法在两类对石墨烯分别有强和弱电子掺杂的基底，即Rh(111)和Ir(111)上制备石墨烯-六方氮化硼单原子层异质结构。通过扫描隧道显微镜及扫描隧道谱对这两种材料的形貌和电子结构进行研究发现：石墨烯和六方氮化硼倾向于拼接生长形成单层的异质结构，而非形成各自分立的畴区；在拼接边界处，石墨烯和六方氮化硼原子结构连续无缺陷；拼接边界多为锯齿形型，…查看全部>>
In-plane heterostructure of hexagonal boron nitride and graphene (h-BN-G) has become a research focus of graphene due to its predicted fascinating properties such as bandgap opening and magnetism, which hence has ignited the attempt of experimentally growing such in-plane two-dimensional (2D) hybrid materials. Many previous researches demonstrated the synthesis of such heterostructures on Cu foils via chemical vapor deposition (CVD) process. The obtained 2D …查看全部>>
刘梦溪;张艳锋;刘忠范
北京大学化学与分子工程学院，北京大学纳米化学研究中心，北京 100871北京大学化学与分子工程学院，北京大学纳米化学研究中心，北京 100871 北京大学工学院材料科学与工程系，北京 100871
石墨烯六方氮化硼面内异质结构扫描隧道显微镜
graphenehexagonal boron nitridein-plane heterostructurescanning tunneling microscopy
《物理学报》 2015 (7)
低维材料的可控生长、原子尺度的精确表征和物性研究
1-12,12
国家自然科学基金(批准号:51222201,51290272,11304053,51121091)和国家科技支撑计划(批准号:2011CB921903,2012CB921404,2012CB933404,2011CB93300,2013CB932603)资助的课题
评论