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直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究

周涛 陆晓东 吴元庆 夏婷婷

电子元件与材料2016,Vol.35Issue(2):73-78,6.
电子元件与材料2016,Vol.35Issue(2):73-78,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.02.018

直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究

Reliability study of high-breakdown voltage high-power switch transistors under DC condition

周涛 1陆晓东 1吴元庆 1夏婷婷1

作者信息

  • 1. 渤海大学新能源学院,辽宁锦州 121000
  • 折叠

摘要

关键词

大功率/晶体管/集电极峰值电流/饱和压降/击穿电压/二次击穿

Key words

high power/transistor/peak collector current/saturation voltage drop/breakdown voltage/secondary breakdown

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷..直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究[J].电子元件与材料,2016,35(2):73-78,6.

基金项目

国家自然科学基金项目资助(No.11304020) (No.11304020)

电子元件与材料

OACSCDCSTPCD

1001-2028

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