离子注入对插入损耗和隔离度影响的研究OA
Rearch of Implant affect Insertion Loss and Isolation
基于一个典型的0.13μm绝缘体上硅,射频开关电路工艺流程,分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻Ron和关断电容Coff的影响.通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型MOS管浅掺杂能量的分批实验,证实了退火温度可影响射频开关的导通电阻和关断电容.进一步实验结果显示,浅掺杂注入的砷(As)和磷(P)注入的剂量是主导因素,各自对导通电阻和关断电容值的影响均为线性且趋势相反,为基于0.13 μm SOI的射频开关性能的优化提供了依据.
吴忆茹;侯飞凡;张俊龙;郝志
上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海210094中芯国际集成电路制造(上海)有限公司研发部,上海201203中芯国际集成电路制造(上海)有限公司研发部,上海201203中芯国际集成电路制造(上海)有限公司研发部,上海201203
电子信息工程
SOI射频开关插入损耗隔离度掺杂能量剂量
《电子科技》 2016 (6)
107-109,113,4