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一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计

孙云华 邹家轩

电子与封装2016,Vol.16Issue(9):14-17,4.
电子与封装2016,Vol.16Issue(9):14-17,4.

一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计

ESD Protection Design for CMOS High Speed I/O

孙云华 1邹家轩1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035
  • 折叠

摘要

关键词

ESD/高速端口/GGNMOS/NTNMOS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙云华,邹家轩..一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计[J].电子与封装,2016,16(9):14-17,4.

电子与封装

1681-1070

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