电子与封装2016，Vol.16Issue(9)：44-47,4.
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
Feasibility Study on Wafer Dicing by Silicon Deep Reactive Ion Etching
刘学勤 1董安平1
作者信息
- 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海200030
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摘要
关键词
深反应离子刻蚀/刀片机械切割/崩角/开裂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘学勤,董安平..硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究[J].电子与封装,2016,16(9):44-47,4.
