电子元件与材料2016，Vol.35Issue(9)：9-14,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.002
氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展
Research progress of oxide memristive materials and resistance switching mechanism
摘要
关键词
氧化物材料/忆阻器/综述/阻变层/忆阻效应/阻变机理Key words
oxide materials/memristor/review/resistance switching layer/memristive effect/resistance switching mechanism分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
殷一民,程海峰,刘东青,张朝阳..氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展[J].电子元件与材料,2016,35(9):9-14,6.基金项目
国家自然科学基金资助(No.51502344) （No.51502344）
