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一种带埋层的新型结终端技术

周嵘 张玉蒙 李泽宏 熊景枝 张金平

电子元件与材料2016,Vol.35Issue(9):37-40,4.
电子元件与材料2016,Vol.35Issue(9):37-40,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.008

一种带埋层的新型结终端技术

A novel junction termination with P-buried layer

周嵘 1张玉蒙 2李泽宏 2熊景枝 2张金平2

作者信息

  • 1. 中国振华集团永光电子有限公司,贵州贵阳550018
  • 2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
  • 折叠

摘要

关键词

电场/击穿电压/终端技术/场限环/P-埋层/终端宽度

Key words

electric field/breakdown voltage/termination technology/field limited tings/P-buried layer, termination width

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周嵘,张玉蒙,李泽宏,熊景枝,张金平..一种带埋层的新型结终端技术[J].电子元件与材料,2016,35(9):37-40,4.

基金项目

国家自然科学基金项目资助(No.61474017 ()

No.51307014) ()

电子元件与材料

OACSCDCSTPCD

1001-2028

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