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Gd掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷材料压敏性能的影响

谢新宇 项会雯 陈镇平 李涛 陈书林 刘永伟 刘鑫

电子元件与材料2016,Vol.35Issue(10):20-24,5.
电子元件与材料2016,Vol.35Issue(10):20-24,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.10.005

Gd掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷材料压敏性能的影响

Effect of Gd doping on non-ohmic properties of CaCu3Ti4O12 ceramics

谢新宇 1项会雯 2陈镇平 1李涛 1陈书林 1刘永伟 1刘鑫1

作者信息

  • 1. 郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州 450002
  • 2. 郑州工业应用技术学院基础教程学部,河南郑州451100
  • 折叠

摘要

关键词

Ca1-xGdxCu3Ti4O12陶瓷/微观结构/分子极化/缺陷浓度/压敏性能/势垒高度

Key words

Ca1-xGdxCu3Ti4O12 ceramics/microstructure/molecular polarization/defect concentration/non-ohmic behaviors/barrier height

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谢新宇,项会雯,陈镇平,李涛,陈书林,刘永伟,刘鑫..Gd掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷材料压敏性能的影响[J].电子元件与材料,2016,35(10):20-24,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No.11175159) (No.11175159)

电子元件与材料

OACSCDCSTPCD

1001-2028

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