电子元件与材料2016，Vol.35Issue(11)：38-41,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.11.009
单区JTE加场板终端结构的优化设计
Optimization design of single-zone JTE termination with field plate
摘要
关键词
结终端扩展/复合场板/VDMOS/击穿电压/表面最大电场/界面态电荷Key words
JTE/multiple field plate/VDMOS/breakdown voltage/peak of surface field/interface charge分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
潘晓伟,冯全源,陈晓培..单区JTE加场板终端结构的优化设计[J].电子元件与材料,2016,35(11):38-41,4.基金项目
国家自然科学基金重点项目资助(No.61531016) （No.61531016）
国家自然科学基金面上项目资助(No.61271090) （No.61271090）
四川省科技支撑计划项目资助(No.2015GZ0103 （）
No.2016GZ0059) （）
