电子与封装2017，Vol.17Issue(2)：43-47,5.
0.18μm CMOS器件SEL仿真和设计
Simulation and Design of SEL for 0.18 μm CMOS Devices
李燕妃 1吴建伟 1谢儒彬 1洪根深1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072
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摘要
关键词
单粒子闩锁/TCAD/加固/重离子试验/外延工艺分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李燕妃,吴建伟,谢儒彬,洪根深..0.18μm CMOS器件SEL仿真和设计[J].电子与封装,2017,17(2):43-47,5.
