电子与封装2017，Vol.17Issue(6)：23-26,4.
基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计
A Design of SiGeBiCMOS Bandgap Current Reference for Radio-Frequency Circuit
孙楷添 1丁星火 2张甘英1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072
- 2. 西安电子科技大学微电子学院,西安710071
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摘要
关键词
锗硅工艺/射频/带隙基准/温漂系数/噪声分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙楷添,丁星火,张甘英..基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计[J].电子与封装,2017,17(6):23-26,4.
