电子与封装2018，Vol.18Issue(6)：38-41,4.
短沟MOS器件GIDL漏电的改善
The Improvement of Gate-Induced-Drain-leakage(GIDL) Current in Short-channel MOSFET
顾祥 1陈天 2洪根深 1赵文彬1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035
- 2. 华润微电子有限公司,江苏无锡 214061
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摘要
关键词
栅氧/栅致漏极泄漏/Halo/LDD/RTA分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
顾祥,陈天,洪根深,赵文彬..短沟MOS器件GIDL漏电的改善[J].电子与封装,2018,18(6):38-41,4.
