| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|无裂纹SiO2薄膜的纳尺度电射流叠层沉积工艺

无裂纹SiO2薄膜的纳尺度电射流叠层沉积工艺

梁军生 郑胜 王金鹏 王大志 任同群

电子元件与材料2018,Vol.37Issue(7):83-87,5.
电子元件与材料2018,Vol.37Issue(7):83-87,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.07.016

无裂纹SiO2薄膜的纳尺度电射流叠层沉积工艺

Preparation of crack-free SiO2 thin film using nano-scale layer-by-layer electrohydrodynamic jet deposition

梁军生 1郑胜 2王金鹏 1王大志 1任同群2

作者信息

  • 1. 大连理工大学 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室, 辽宁 大连 116023
  • 2. 大连理工大学 精密与特种加工技术教育部重点实验室, 辽宁 大连 116023
  • 折叠

摘要

关键词

二氧化硅/薄膜/无开裂/电射流沉积/沉积高度/扫描间距

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

梁军生,郑胜,王金鹏,王大志,任同群..无裂纹SiO2薄膜的纳尺度电射流叠层沉积工艺[J].电子元件与材料,2018,37(7):83-87,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51675085 ()

51475081) ()

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文