电子元件与材料2018，Vol.37Issue(9)：53-56,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.09.011
VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计
Optimization and design of variable lateral doping termination for VDMOS
摘要
关键词
垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)/场限环/横向变掺杂/击穿电压/终端/功率器件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵磊,冯全源..VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计[J].电子元件与材料,2018,37(9):53-56,4.基金项目
国家自然科学基金重点项目(61531016) （61531016）
四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110) （2017GZ0110）
