电子与封装2018，Vol.18Issue(9)：33-35,3.
低电容TVS用常压外延工艺研究
Study on the AP Epitaxial Process of LCTVS Diode
仲张峰 1尤晓杰 1王银海 1邓雪华 1魏建宇 1杨帆1
作者信息
摘要
关键词
瞬态电压抑制器(TVS)/低电容/常压外延/自掺杂/纵向载流子分布(SRP)分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
仲张峰,尤晓杰,王银海,邓雪华,魏建宇,杨帆..低电容TVS用常压外延工艺研究[J].电子与封装,2018,18(9):33-35,3.
