电子元件与材料2018，Vol.37Issue(11)：85-88,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.11.015
S波段40 W GaN高效率内匹配功率放大器的设计
Design of an S-band 40 W GaN high efficiency internally matched power amplifier
朱涤非 1钟世昌1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所, 江苏 南京 210016
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摘要
关键词
S波段/氮化镓高迁移率晶体管/高效率/内匹配/功率放大器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱涤非,钟世昌..S波段40 W GaN高效率内匹配功率放大器的设计[J].电子元件与材料,2018,37(11):85-88,4.
