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GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究

代鲲鹏 张凯 林罡

电子元件与材料2018,Vol.37Issue(12):9-16,8.
电子元件与材料2018,Vol.37Issue(12):9-16,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.12.002

GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究

Frequency doubling efficiency of GaN Schottky varactor diodes at terahertz-wave band

代鲲鹏 1张凯 1林罡1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京 210016
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摘要

关键词

GaN/肖特基变容二极管/太赫兹/恒定掺杂/渐变掺杂/倍频效率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

代鲲鹏,张凯,林罡..GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究[J].电子元件与材料,2018,37(12):9-16,8.

基金项目

国家重点研发计划(2018YFB0406602) (2018YFB0406602)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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