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高场应力下晶格匹配In0.17Al0.83N/GaNHEMT退化研究

任舰苏丽娜李文佳

电子元件与材料2018，Vol.37Issue(12)：36-39,4.

电子元件与材料2018，Vol.37Issue(12)：36-39,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.12.006

Degradation of lattice matched In0. 17 Al0. 83 N/GaN HEMT under high field stress

任舰 ¹苏丽娜 ¹李文佳¹

作者信息

晶格匹配/In0.17Al0.83N/GaN/HEMT/势垒层陷阱/退化/应力

信息技术与安全科学

任舰,苏丽娜,李文佳..高场应力下晶格匹配In0.17Al0.83N/GaNHEMT退化研究[J].电子元件与材料,2018,37(12):36-39,4.

江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005) （17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2028

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