| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|TSV电迁移影响因素的有限元分析

TSV电迁移影响因素的有限元分析

马瑞 苏梅英 刘晓芳 王旭刚 曹立强

电子元件与材料2019,Vol.38Issue(2):93-97,5.
电子元件与材料2019,Vol.38Issue(2):93-97,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.02.015

TSV电迁移影响因素的有限元分析

Finite element analysis of factors affecting TSV electromigration

马瑞 1苏梅英 2刘晓芳 1王旭刚 2曹立强1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 2. 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,江苏 无锡214135
  • 折叠

摘要

关键词

TSV/电迁移/有限元模拟/电热耦合

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马瑞,苏梅英,刘晓芳,王旭刚,曹立强..TSV电迁移影响因素的有限元分析[J].电子元件与材料,2019,38(2):93-97,5.

基金项目

国家自然科学基金(61474140) (61474140)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文