电子与封装2019，Vol.19Issue(3)：18-20,48,4.
基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计
Design of I/O Port ESD Protection Based on 0.18 μm Process
程凌 1白丽君 1李娟1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072
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摘要
关键词
ESD/GGNMOS/GGNMOS+RC Power Clamp结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程凌,白丽君,李娟..基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计[J].电子与封装,2019,19(3):18-20,48,4.
