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B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究

邢星河 彭志航 曹峰

电子元件与材料2019，Vol.38Issue(4)：56-63,8.
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电子元件与材料2019，Vol.38Issue(4)：56-63,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.04.009

B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究

A comparative study on microstructure and electrical properties of B-site doped CaBi2 Nb2 O9 ceramics

邢星河 1彭志航 2曹峰2

作者信息

  • 1. 中国航天员科研训练中心, 北京 100094
  • 2. 国防科技大学 新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室, 湖南 长沙 410073
  • 折叠

摘要

关键词

B位取代/掺杂效应/氧空位/电性能

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

邢星河,彭志航,曹峰..B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究[J].电子元件与材料,2019,38(4):56-63,8.

基金项目

国家自然科学基金 (51802344) （51802344）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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