电子与封装2019，Vol.19Issue(6)：32-40,9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0609
粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究
TCAD Simulation Research on the Influence of Particle Incidence Conditions on Single Event Charge Sharing Effect of 28 nm SRAM
金鑫 1唐民 1于庆奎 1张洪伟 1梅博 1孙毅 1唐路平2
作者信息
- 1. 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部,北京100029
- 2. 国防科技大学,长沙410073
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摘要
关键词
器件仿真/28nm/单粒子效应/电荷共享/多位翻转分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
金鑫,唐民,于庆奎,张洪伟,梅博,孙毅,唐路平..粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究[J].电子与封装,2019,19(6):32-40,9.
