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基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

王溯源 章军云 彭龙新 黄念宁

电子与封装2019,Vol.19Issue(8):39-43,5.
电子与封装2019,Vol.19Issue(8):39-43,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0811

基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

0.15 μm GaAs Limiter-LNA MMIC Based on 248 nm Scanner Process

王溯源 1章军云 1彭龙新 1黄念宁1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,南京210016
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摘要

关键词

248 nm扫描光刻机/烘胶工艺/X波段/GaAs/单片限幅低噪声放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王溯源,章军云,彭龙新,黄念宁..基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J].电子与封装,2019,19(8):39-43,5.

电子与封装

1681-1070

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