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高比表面三维多孔石墨烯的制备及其电容性能研究

沈进冉 郭翠静 刘俊杰 官亦标 徐斌

电子元件与材料2019，Vol.38Issue(9)：22-27,6.
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电子元件与材料2019，Vol.38Issue(9)：22-27,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.09.003

高比表面三维多孔石墨烯的制备及其电容性能研究

Preparation and capacitive performance of three-dimensional porous graphene with high surface area

沈进冉 1郭翠静 1刘俊杰 2官亦标 3徐斌2

作者信息

  • 1. 中国电力科学研究院有限公司, 北京 100192
  • 2. 北京化工大学 材料科学与工程学院 北京 100029
  • 3. 中国电力科学研究院有限公司 新能源与储能运行控制国家重点实验室, 北京 100192
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摘要

关键词

超级电容器/三维/多孔石墨烯/氢氧化钾/活化/比电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

沈进冉,郭翠静,刘俊杰,官亦标,徐斌..高比表面三维多孔石墨烯的制备及其电容性能研究[J].电子元件与材料,2019,38(9):22-27,6.

基金项目

国家电网公司科技项目( DG71-16-024) （ DG71-16-024）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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